Semi-conducteurs. Page 171 sur 485. Avtronic

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Semi-conducteurs

10167 articles disponibles

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Circuits intégrés divers

193

Circuits logiques série 4000

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Circuits logiques série 74

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Diodes Haute-tension pour micro-onde

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Diodes Transils

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Diodes Zéner

Modules de transmission radio

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Ponts de redressement à diodes

Supports de circuits intégrés

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Transistors

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Triacs et diacs

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IR2E27A à IRF2907Z (Page 171 sur 485)

Circuit intégré IR2E27A

9.97€ TTC

2 En stock

Circuit intégré IR2E27A. DOT MATRIX DISPLAY DRIVER. Boîtier: 16p. Constructeur: SHARP.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré IR3702

5.99€ TTC

13 En stock

Circuit intégré IR3702. JVC TU-S10EG. Boîtier: 14p. Constructeur: SHARP.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré IR3Y18A

51.46€ TTC

2 En stock

Circuit intégré IR3Y18A. SMD. Constructeur: SHARP.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré driver de moteur IRAMS10UP60B

59.08€ TTC

1 En stock

Circuit intégré driver de moteur IRAMS10UP60B. Motor Driver 3-Phase. POWER modul 600V 10A. Constructeur: International Rectifier. Boîtier: SIP-23.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRC640

11.82€ TTC

11 En stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 18A/72Ap 125W. Résistance passante RDSon : 0.18 Ohms (11A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRC644

5.99€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRC644 N-MOS 250V 14A 125W<0.28R(8.5A. V-MOS 5p. MOS-N-FET. Constructeur: IR. HexSense. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.5 A. Rds (Ohms): 0.28. Puissance: 125 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1010E

4.65€ TTC

95 En stock

Transistor IRF1010E N-MOS 60V 84A 200W<0.12R (43A). MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 84 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.12. Puissance: 200 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1010N

4.54€ TTC

88 En stock

Transistor IRF1010N N-MOS 55V 85A 200W<0.11R (43A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 85 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.11. Puissance: 200 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1104

7.11€ TTC

77 En stock

Transistor IRF1104 N-MOS 40V 100A 170W<0.009R(71A. Ultra Low R.. Vgs: 20V. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 100 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 71 A. Rds (Ohms): 0.009. Puissance: 170 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1310N

4.82€ TTC

120 En stock

Transistor IRF1310N N-MOS 100V 42A 160W<0.036R(30A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A. Rds (Ohms): 0.036.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1404

6.33€ TTC

109 En stock

Transistor IRF1404 N-MOS 40V 169A 200W<0.0035R(118A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 169 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 118 A. Rds (Ohms): 3.5 mOhms

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1404S

15.62€ TTC

15 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 40V 162A/650Ap 200W 0.0035R (115A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: RF1404SPBF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: D2PAK. Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 190A. Puissance: 220 W. Id(T:100): 130A. Id(imp): 750 Ap. Id

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1404Z

6.05€ TTC

168 En stock

Transistor MOSFET canal N 40V 190A/750Ap 220W 0.0033R (130A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: RF1404ZPBF. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 190A. Puissance: 220 W. Id(T:100): 130A. Id(imp): 750 Ap. Idss (min): 20 uA. Idss (max): 250 uA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1405

6.61€ TTC

119 En stock

Transistor IRF1405 N-MOS 55V 169A 330W<0.0046R(118A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Rds(on):<4.6mohm. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 169 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 118 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF1407

5.99€ TTC

101 En stock

Transistor IRF1407 N-MOS 75V 130A 330W<0.0078R(92A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Rds(on):<7.8mohm. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 130 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 92 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF2804

9.02€ TTC

20 En stock

Transistor IRF2804 N-MOS 40V 75A 330W<0.0023R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.0023.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF2805

8.06€ TTC

59 En stock

Transistor IRF2805 N-MOS 55V 75A 330W<0.047R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.047.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF2807

4.82€ TTC

116 En stock

Transistor IRF2807 N-MOS 75V 82A 230W<0.013R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 82 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.013.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF2903Z

9.46€ TTC

14 En stock

Transistor IRF2903Z N-MOS 30V 260A 290W 0.019R(180A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 260 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 180 A. Rds (Ohms): 0.019.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF2903ZS

11.54€ TTC

7 En stock

Transistor IRF2903ZS N-MOS 30V 260A 290W 0.019R(180A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: D2PAK. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 260 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 180 A. Rds (Ohms): 0.019.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF2907Z

12.10€ TTC

101 En stock

Transistor IRF2907Z N-MOS 75V 170A 330W 0.035R(120A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB (IRF2907ZPBF). Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 170 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 120 A.

Tarifs dégressifs

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Circuit intégré IR2E27A

Circuit intégré IR2E27A. DOT MATRIX DISPLAY DRIVER. Boîtier: 16p. Constructeur: SHARP.

Circuit intégré IR3702

Circuit intégré IR3702. JVC TU-S10EG. Boîtier: 14p. Constructeur: SHARP.

Circuit intégré IR3Y18A

Circuit intégré IR3Y18A. SMD. Constructeur: SHARP.

Circuit intégré driver de moteur IRAMS10UP60B

Circuit intégré driver de moteur IRAMS10UP60B. Motor Driver 3-Phase. POWER modul 600V 10A. Constructeur: International Rectifier. Boîtier: SIP-23.

Transistor MOSFET canal-N IRC640

Transistor MOSFET canal-N 200V 18A/72Ap 125W. Résistance passante RDSon : 0.18 Ohms (11A)

Transistor IRC644

Transistor IRC644 N-MOS 250V 14A 125W<0.28R(8.5A. V-MOS 5p. MOS-N-FET. Constructeur: IR. HexSense. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.5 A. Rds (Ohms): 0.28. Puissance: 125 W

Transistor IRF1010E

Transistor IRF1010E N-MOS 60V 84A 200W<0.12R (43A). MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 84 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.12. Puissance: 200 W

Transistor IRF1010N

Transistor IRF1010N N-MOS 55V 85A 200W<0.11R (43A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 85 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.11. Puissance: 200 W

Transistor IRF1104

Transistor IRF1104 N-MOS 40V 100A 170W<0.009R(71A. Ultra Low R.. Vgs: 20V. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 100 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 71 A. Rds (Ohms): 0.009. Puissance: 170 W

Transistor IRF1310N

Transistor IRF1310N N-MOS 100V 42A 160W<0.036R(30A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A. Rds (Ohms): 0.036.

Transistor IRF1404

Transistor IRF1404 N-MOS 40V 169A 200W<0.0035R(118A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 169 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 118 A. Rds (Ohms): 3.5 mOhms

Transistor IRF1404S

Transistor IRF1404Z

Transistor IRF1405

Transistor IRF1405 N-MOS 55V 169A 330W<0.0046R(118A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Rds(on):<4.6mohm. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 169 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 118 A.

Transistor IRF1407

Transistor IRF1407 N-MOS 75V 130A 330W<0.0078R(92A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Rds(on):<7.8mohm. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 130 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 92 A.

Transistor IRF2804

Transistor IRF2804 N-MOS 40V 75A 330W<0.0023R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.0023.

Transistor IRF2805

Transistor IRF2805 N-MOS 55V 75A 330W<0.047R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.047.

Transistor IRF2807

Transistor IRF2807 N-MOS 75V 82A 230W<0.013R(43A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 82 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.013.

Transistor IRF2903Z

Transistor IRF2903Z N-MOS 30V 260A 290W 0.019R(180A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 260 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 180 A. Rds (Ohms): 0.019.

Transistor IRF2903ZS

Transistor IRF2903ZS N-MOS 30V 260A 290W 0.019R(180A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: D2PAK. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 260 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 180 A. Rds (Ohms): 0.019.

Transistor IRF2907Z

Transistor IRF2907Z N-MOS 75V 170A 330W 0.035R(120A). HEXFET Power MOSFET. AUTOMOTIVE MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB (IRF2907ZPBF). Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 170 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 120 A.

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